来源："Progress in EUV lithography toward manufacturing", Proc. SPIE 10143, Extreme Ultraviolet (EUV
另外，EUV带来的价值还包括（1）图案保真度会明显更高 。传统多重曝光技术的一大问题就是图案保真度并不好，比如像上面这个图案一样，最终获得的图案与预期存在出入 。三星表示，EUV 2D保真度相比ArF多重曝光要优秀70%；
（2）设计弹性更大，比如双向金属配线（bi-directional metal routing），路径、配线会变得更简单；（3）更紧致的关键尺寸分布（CD distribution）；（4）在SRAM cache存储部分，单次曝光2D EUV，布局图案变小至多50%，所以三星目前在SRAM部分相较其他竞争对手的同代工艺有着最高的密度，bit-cell尺寸为0.0262μm2 。
针对密度增加，三星还为7nm LPP增加了一些特别的结构方案，比如说cell高度缩减——而且是只有EUV可以做到的；7nm LPP还重新引入了SDB（single-diffusion break，single dummy gate单虚拟栅） 。
如果我们对旧数据做个粗略的统计，则三星7nm LPP在晶体管密度方面，相比台积电N7工艺略有优势，但不及同样用上了EUV的N7+ 。WikiChip在去年10月最新的预计为三星7nm LPP HD高密度cell方案的晶体管密度在95.08 MTr/mm2，而HP高性能方案的晶体管密度则在77.01 MTr/mm2 。
来源：WikiChips（注：我们对本图进行了二次演绎）
上面这张图并没有算上台积电的N7+（和N6），若按台积电宣称N7+的密度增加20%来算，台积电N7+的晶体管密度应该显著高于三星的7LPP HD高密度cell方案，低于三星6LPP HD（密度提升18%） 。另外，仅以密度判断工艺成熟与否也是不科学的，这些数据仅作为参考 。
目前比较知名采用三星7nm LPP工艺的芯片应该就是Exynos 9825了——即应用于Galaxy Note 10手机的那颗SoC 。实际上，Exynos 9820与9825是非常利于对比三星8nm与7nm工艺差别的两款SoC，因为9825实际各个层面的提升都不大，基本只有CPU的一组核心略加了频率 。不过市面上还没有Exynos 9825的详细数据，比如die size；从NoteBookCheck的测试数据来看，两者未能表现出大差别 。
Exynos 9825更像是三星的练手之作：三星似乎一直有这样的传统 。多年前Exynos 5430，就各部分设计IP看来属于Exynos 5422（Galaxy S5）的小升级；不过5430实际是三星在20nm工艺上的第一次练手，这颗芯片也从未大面积铺货，而作为从中学习经验的产品：Exynos 9825看起来也是如此 。
无论今年苹果A14将采用何种工艺（传言称由台积电N5节点全包揽），以及7nm这个节点的寿命还有多久，跨入EUV的厮杀显然已经由Kirin 990 5G、Exynos 9825这些非大量出货的SoC吹响了号角，7nm也是台积电和三星练手EUV的第一步 。有关另一个尖端制造工艺的参与者：Intel的10nm与7nm，我们还将在未来的文章中做进一步的介绍 。
更新：三星在后续发布的5nm、4nm路线图中，更新了其7nm LPP工艺节点的信息（早前三星定义的7nm第二代，如今似已明确为5nm LPE，原本的7nm LPE初代则已成为明确的三星7nm节点——且当前已不分LPE与LPP） 。因此本文最初呈现三星7nm LPP的数据有误，现已在文中更正了三星7nm LPP节点的晶体管密度 。请注意，初版数据与本文更新后的数据出入较大 。
(今完)
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