联想服务器在UEFI HII阵列配置教程( 五 ) _技术教程

会提示确认移除热备盘，在””处确认后选”Yes”，然后会提示操作顺利完成，”OK”继续。

六、重新初始化阵列如果在创建阵列时没有选择执行初始化操作，或者保持已有阵列但需要清空其中的数据，都可以在阵列卡配置主界面”Virtual Drive Management”里对阵列进行初始化.
选择要执行初始化的 Virtual Drive 。

在”Operation”选项中选择”Fast Initialization”执行快速初始化。
“Slow Initialization”即慢速初始化，与创建阵列时设置”Default Initialization”为”Full”相同，都是用特定数据覆写整个阵列。完全初始化会彻底检测硬盘状况并抹除全部数据，故耗时较长，在此过程中可能无法正常使用阵列，一般只在阵列或者硬盘出现异常时使用。

然后在下一行出现的”Go”上按回车键。

会提示阵列上的数据将被抹除，确认继续，快速初始化一般数秒钟即可完成，慢速初始化可能需要数小时才能完成，会在”Virtual Drive Management”界面显示操作进度。

七、修改阵列缓存策略等参数对已有的阵列和卷，可以在”Virtual Drive Management”中修改阵列缓存策略等参数。如用于 System x 系列服务器的 ServeRAID M5210 阵列卡加配缓存模块或者闪存+超级电容套件后，可以在”Virtual Drive Management”中修改阵列缓存策略等参数以提升性能。
选择要修改缓存策略的 Virtual Drive 。

进入”Advanced…”页面。

修改”Default Write Cache Policy”为”Write Back”，调整写入缓存策略为回写模式。

在此页面也可以修改其他参数，部分参数只能在创建阵列时定义，无法后期修改。
“Segment Size”（即创建阵列时的”Strip Size”），数据条带尺寸，用以调整分布在各个硬盘上的数据块单元尺寸。若阵列做存储用途可以调大，若做数据库类用途可以调小。调整此项可能会影响阵列性能。如果无特殊需求，则无需调整此项。此项在阵列创建后无法修改。
“Access”（即创建阵列时的”Access Policy”），访问策略。当设置为”Read/Write”时，此卷可以被读取和写入，此为默认值。当设置为”Read Only”时，此卷只能被读取不可写入。当设置为”Blocked”时，此卷无论读写都不可被访问。
“Default Write Cache Policy”（即创建阵列时的”Write Policy”），写入缓存策略，仅当阵列卡配备有缓存时才可修改，否则固定为”Write Through” 。当设置为”Write Through”（直写）时，数据最终写入硬盘介质时才反馈写入完成，当阵列卡未配备有缓存时此项为默认值。当设置为”Write Back”（回写）且阵列卡配备有备份单元（电池）时数据写入到阵列卡缓存时即反馈写入完成，此模式会提升阵列性能，当阵列卡配备有缓存时此项为默认值；但若未配备备份单元时会以”Write Through”模式操作。当设置为”Always Write Back”（强制回写）时，不论缓存是否有备份单元（电池）都开启回写模式，此模式在服务器遇到意外停电时有较大数据丢失风险，请谨慎选用。